• Авторизация


Заголовок 25-05-2009 22:17


Потери энергии. При перемагничивании магнитных ма-териалов переменным полем петля гистерезиса, характери-зующая затраты энергии на перемагничивание в течение одно-го цикла перемагничивания, расширяется (увеличивает свою площадь) за счет потерь на гистерезис, вихревые токи и маг-нитное последействие. Такую петлю гистерезиса называют ди-намической, а сумму составляющих потерь – полными потеря-ми. Потери энергии, обусловленные перемагничиванием пере-менным полем, вызывают нагрев материала. Вкладом потерь на последействие в нагрев ферромагнетика обычно можно пренебречь.
Потери энергии на гистерезис Эг за один чикл перемагничивания, отнесенной к единице объема материала, определяются на площади статической предельной (или частной) петли гистерезиса

, Дж/м3 (3.21)

Выравнивание, связывающее удельную мощность по-терь на гистерезисе Рг и потери энергии на гистерезис, имеет следующий вид
, Вт/кг, (3.22)

где f – частота перемагничивания, Гц; d – плотность материала кг/м3.
Для практических целей при вычислении удельных по-терь на гистерезис пользуются эмпирической формулой:

, (3.23)

где η – коэффициент, зависящий от свойств материала (η ≈ 1); Вm – максимальная индукция, достигаемая в данном цикле Тл; n – показатель степени, принимающий значения от 1,6 до 2 в зависимости от Вm.
Потери энергии на гистерезис обусловлены необратимы-ми процессами перемагничивания. При этом эти потери за один период изменения внешнего поля остаются постоянными в достаточно широком диапазоне частот.
Потери энергии на вихревые токи обусловлены образо-ванием вихревых токов в проводящей среде за счет ЭДС само-индукции, пропорциональной скорости изменения магнитного потока. Поэтому потери на вихревые токи возрастают пропор-ционально частоте.
Вихревые токи всегда возникают в плоскости, расположенной перпендикулярно магнитному потоку. Под действием переменного магнитного потока в любом контуре, ориентированном вдоль оси магнитного сердечника, возникает ЭДС самоиндукции, пропорциональная частоте и индукции возбуждающегося поля Е ~ f Вm. По закону Джоуля-Ленца ак-тивная мощность, выделяющаяся в материале в виде тепла при возбуждении в нем вихревых токов, определяется выражением

, (3.24)

где γ – удельная проводимость ферромагнетика.
При расчете удельных потерь на вихревые токи исполь-зуют эмпирическую формулу

, Вт/кг, (3.25)

где ξ – коэффициент, пропорциональный удельной проводимо-сти материала и зависящий от геометрической формы и разме-ров поперечного сечения магнитного сердечника.
Так как значение Рв квадратично зависит от частоты пе-ременного магнитного поля, то для снижения потерь на вихре-вые токи необходимо использовать магнитный материал с вы-соким удельным сопротивлением (ферриты) или собирать маг-нитный сердечник из тонких листов, изолированных друг от друга. Для листового образца удельные потери на вихревые токи находят из выражения

, Вт/м2, (3.26)

где h – толщина листа, м; d – плотность материала, кг/м3; ρ – удельное сопротивление, Ом м.
Потери на магнитное последействие обусловлены от-ставанием магнитной индукции от изменения напряженности магнитного поля. Спад намагниченности ферромагнетиков по-сле отключения внешнего поля происходит не мгновенно, а в течение некоторого промежутка времени. Время установления стабильного магнитного состояния возрастает с температурой. Одной из причин магнитного последействия является тепловая энергия, которая помогает слабо закрепленным доменным гра-ницам преодолевать энергетические барьеры, мешающие их свободному смещению. Явление отставания магнитной индук-ции от изменения напряженности магнитного поля, называют магнитной вязкостью.
Комплексная магнитная проницаемость и угол по-терь. В слабых магнитных полях и на высоких частотах дина-мическая петля гистерезиса вследствие отставания индукции от напряженности поля имеет форму эллипса. Отставание по фазе индукции от напряженности объясняется действием вих-ревых токов, препятствующих согласно закону Ленца, измене-нию индукции, гистерезисом и магнитной вязкостью. Угол от-ставания δμ называют углом потерь. Магнитную индукцию можно разложить на две составляющие: Вm1 = Bm.cosδμ и Bm2 = Bm . sinδμ. Первая составляющая Вm1 совпадает по фазе с напряженностью поля и связана с обратимыми процессами превращения энергии при перемагничивании, а вторая (Вm2) - отстает от Н на угол π/2 и обусловлена необратимыми процес-сами. Потери на перемагничивание обусловлены лишь состав-ляющей Вm2.
Для характеристики магнитных свойств материалов, ис-пользуемых в целях переменного тока, существуют следующие виды магнитной проницаемости: упругая μ', проницаемость потерь μ", определяющая величину необратимых потерь в об-щем случае на гистерезис, вихревые токи, магнитную вязкость и резонансное
Читать далее...
комментарии: 2 понравилось! вверх^ к полной версии
Заголовок 25-05-2009 22:17


Твердые растворы соединений АIVВVI представляют наи-больший интерес для создания приборов длинноволнового оп-тического диапазона. Твердые растворы на основе халькогени-дов свинца используются для изготовления фотоприемников с высокой спектральной чувствительностью в диапазоне «атмо-сферного окна» 8-14 мкм, которое соответствует максимуму излучения абсолютно черного тела при 300 К. Перспективно использование твердых растворов Pb1-xSnxТe для инжекцион-ных лазеров с излучением в спектральном диапазоне до 30 мкм. Это значение соответствует максимальной длине волны излучения для полупроводниковых лазеров.


2.10. Перспективные полупроводниковые материалы

Аморфные полупроводники можно разделить на три группы.
1. Аморфные твердые тела с тетраэдрическими связями, такие, как кремний, германий, соединения AIIIBV. Эти полу-проводники в аморфном состоянии нельзя получить путем ох-лаждения расплава. Их получают в виде тонких пленок раз-личными методами осаждения (термическое испарение в ва-кууме, катодное напыление и т.д.). Свойства этих материалов в основном подобны свойствам кристаллических аналогов.
2. Халькогенидные стекла- некристаллические вещества, содержащие атомы халькогенидов серы, селена, теллура, полу-чаемые в результате охлаждения расплава. Они в основном нечувствительны к примесям, обладают симметричными вольтамперными характеристиками, претерпевают различные структурные изменения.
3. Стекла, основным компонентом которых являются элементы V группы периодической таблицы. По своим свойст-вам эта группа аморфных полупроводников занимает проме-жуточное положение между халькогенидными стеклами и аморфными полупроводниками с тетраэдрическими связями.
Аморфные полупроводники образуют класс материалов с большим разнообразием физических свойств. Относительно слабая чувствительность к посторонним примесям позволяет использовать для их изготовления более простые и дешевые методы по сравнению с выращиванием монокристаллов. Это дает основание утверждать, что применение аморфных полу-проводников будет еще более широким. В настоящее время наиболее перспективными областями использования аморф-ных полупроводников являются следующие.
Производство солнечных батарей – устройств для прямо-го преобразования солнечного излучения в электроэнергию. Основным материалом, используемым для производства сол-нечных батарей, является кремний. Однако высокая стоимость изготовления совершенных высокочистых кристаллов кремния является серьезным препятствием к тому, чтобы солнечные ба-тареи на основе кристаллического кремния нашли широкое распространение. Значительные перспективы в этом отноше-нии открывает применение аморфного кремния. Кроме более дешевой технологии существует еще ряд преимуществ, свя-занных с заменой кристаллического кремния на аморфный. К ним относятся, например, возможность получения аморфного кремния в виде тонких слоев большой площади, повышенная радиационная стойкость, возможность изготовления батарей на гибких подложках и т.д.
Электрофотография (ксерография) – процесс, в котором используются фотопроводящие свойства селенового стекла. На основе трехслойных композиций таких стекол созданы аппара-ты для цветного копирования. В них с помощью цветных фильтров и красителей можно очень быстро получать цветные копии цветных оригиналов.
Переключающие и запоминающие устройства на основе халькогенидных стекол находят широкое применение при про-изводстве ЭВМ. В халькогенидных стеклах существует два ро-да переключения. При пороговом переключении приложение к стеклу напряжения выше порогового приводит к увеличению проводимости полупроводника примерно в миллион раз (со-стояние «включено»). Если напряжение уменьшается до точки возврата, то стекло вновь переключается в состояние с малой проводимостью. Это соответствует состоянию «выключено».
Переключение с запоминанием реализуется в стеклах с другими свойствами. При достижении порогового напряжения здесь происходит переключение в проводящее состояние. Это состояние сохраняется в стекле, даже если приложенное на-пряжение падает до нуля. Состояние «выключено» достигается после пропускания определенного импульса тока. Переключе-ние с запоминаем наблюдается в стеклах, которые могут срав-нительно легко кристаллизоваться. Когда напряжение достига-ет порогового значения, в этих материалах образуются тонкие нити кристаллического вещества, которые и делают возмож-ным запоминание. При пропускании подходящего импульса тока кристаллическая нить расплавляется и восстанавливается однородное стеклообразное состояние. Таким образом, пере-ключение с запоминанием есть следствие перехода между аморфным и кристаллическим состояниями.
В некоторых аморфных полупроводниках переход в вы-сокопроводящее состояние может быть осуществлен под дей-ствием света. Из материалов с таким запоминанием переклю-чением можно изготовить постоянную матрицу и сделать из нее неограниченное число электрофотографических отпечат-ков без необходимости добавочного экспонирования. Вообще, одной из наиболее
Читать далее...
комментарии: 0 понравилось! вверх^ к полной версии

Заголовок 25-05-2009 22:16


2.4. Классификация полупроводниковых материалов

Все полупроводниковые материалы по химическому со-ставу и структуре подразделяются на неорганические и органи-ческие.
Неорганические полупроводниковые материалы по струк-туре подразделяются на кристаллические и аморфные (стекло-образные) полупроводники.
К кристаллическим полупроводникам относятся элемен-тарные полупроводники, химические соединения и твердые растворы на основе химических соединений.
К элементарным (их называют простыми) полупровод-никам относятся 12 элементов периодической системы Д. И. Менделеева:
В (бор) – элемент 3-й группы;
Si (кремний), Ge (германий), C (углерод), Sn (олово се-рое) – элементы 4-й группы;
P (фосфор), As (мышьяк), Sb (сурьма) – элементы 5-й группы;
S (сера, Se (селен), Te (теллур) – элементы 6-й группы;
J – элемент 7-й группы.
В табл. 2.1 приведены элементарные полупроводники и значения ширины запрещенной зоны.





Таблица 2.1
Ширина запрещенной зоны ∆ Э элементарных
полупроводников (при 20 оС)

Элемент ΔЭ, эВ Элемент ΔЭ, эВ
Бор 1.1 Мышьяк 1.2
Углерод (алмаз) 5.6 Сурьма 0.12
Кремний 1.12 Сера 2.5
Германий 0.67 Селен 1.8
Олово серое(α – Sn) 0.08 Теллур 0.36
Фосфор 1.5 Йод 1.25

В современной микроэлектронике наибольшее примене-ние нашел кремний Si, на основе которого изготавливают ак-тивные полупроводниковые приборы: интегральные схемы, диоды, транзисторы.
Двойные химические соединения записываются в виде Аn Вm, где индексы n и m представляют номер группы таблицы Менделеева. Широкое практическое применение как полупро-водники нашли химические соединения классов:
АIII ВÝ, к которым относятся GaAs (арсенид галлия), GaP (фосфид галлия), InP (фосфид индия), GaSb (антимонид гал-лия) и другие;
АII ВÝI, к которым относятся CdS (сульфид кадмия), CdSe (селенид кадмия), ZnS (сульфид цинка), CdTe (теллурид кад-мия) и другие;
АIÝ ВIÝ, к которым относятся SiC (карбид кремния), SiGe (германат кремния);
АIÝ ВÝI, к которым относятся _PbS (сульфид свинца), PbSe (селенид свинца), PbTe ( теллурид свинца) и другие.
Твердые растворы на основе двойных химических соеди-нений АIII ВÝ, которым относятся, например AlхGa1-хAs, GaхIn1-х As, GaAs1-уPу и другие. На основе таких соединений созда-ются оптоэлектронные приборы, преобразователи солнечной энергии в электрическую (русский ученый Алферов получил Нобелевскую премию за разработку таких преобразователей с высоким КПД на основе гетероструктур).
Тройные химические соединения, к которым относятся со-единения типа АIВIIIВ2VI (например, соединения CuAlS2, CuInSe2 , CuInTe2), АI ВV ВVI и другие.
Аморфными полупроводниками (стеклообразными) яв-ляются соединения на основе элементов VI группы таблицы Менделеева (S, Se, Te) – халькогенов – с элементами V группы (As, Sb). Наиболее известными являются соединения As2S3 , As2Se3 , Sb2S3, которые находят применение в оптоэлектронике.
К органическим полупроводниковым материалам отно-сятся такие материалы, как бензол, антрацен, нафталин и дру-гие. В таких материалах проводниковые свойства сочетаются с эластичностью, что позволяет изготавливать рабочие элементы в виде волокон и гибких лент.
Основные свойства и применение различных классов по-лупроводников будут рассмотрены ниже.

2.5. Элементарные полупроводники

Кремний в настоящее время как по объему производства, так и по номенклатуре полупроводниковых приборов занял господствующее положение. Кремний является элементом IV группы таблицы Менделеева. Он является одним из наиболее распространенных элементов в земной коре ( 27,6 %). В силу своей химической активности в свободном состоянии кремний в природе не встречается, но его многочисленные кислородные соединения (кремнезем, силикаты и т.д.) входят в большинст-во горных пород, минералов и почвы. Наиболее распростра-ненным соединением этого элемента является двуокись крем-ния SiO2, которая встречается в основном в виде минерала кварца и в песке..
В твердом состоянии кремний образует кубическую про-странственную решетку типа алмаза (рис 2.10).



Рис. 2.10. Структура алмаза (кремния, германия)

В этой решетке каждый атом окружен четырьмя соседни-ми атомами, находящимися от него на одинаковом расстоянии. Атомы удерживаются в узлах кристаллической решетки благо-даря действующими между ними ковалентными связями. Кремний кристаллизируется в структуре алмаза с несколько меньшим, чем у германия периодом кристаллической решетки, что обусловливает долее сильную ковалентную связь, а значит более широкую запрещенную зону.
В химическом отношении кремний при комнатной темпе-ратуре является относительно инертным веществом. Он не растворим в воде, не реагирует со многими кислотами любой концентрации - хорошо растворяется лишь в смеси азотной и плавиковой кислот и в кипящих щелочах
Кремний устойчив на воздухе при нагревании до 900оС, а выше начинает интенсивно окисляться с образованием двуоки-си SiO2. Кремний растворим во многих расплавленных метал-лах,
Читать далее...
комментарии: 0 понравилось! вверх^ к полной версии
Заголовок 25-05-2009 22:15


Критическая напряженность магнитного поля зависит от температуры. При Т = Тсв она обращается в нуль, но монотон-но возрастает при стремлении температуры к нулю градусов Кельвина.



Рис.1.9. Зависимость магнитной индукции внутри сверхпроводника от напряженности внешнего магнитного по-ля: а- сверхпроводник I рода; б- сверхпроводник II рода
Область промежуточного состояния у сверхпроводников II рода расширяется при понижении температуры, Нсв1 и Нсв2 могут различаться в сотни раз. Для сверхпроводников I рода Нсв1 составляет ~105А/м, а у сверхпроводников II рода Нсв2 мо-жет превышать 107А/м.
При переходе в сверхпроводящее состояние наблюдает-ся скачкообразное изменение удельной теплоемкости. Тепло-проводность при Тсв также изменяется, однако значительно меньше чем электропроводимость. Поэтому соотношение Ви-демана-Франца для проводника в сверхпроводящем состоянии не выполняется.
Согласно теории БКШ максимальное значение Тсв не может быть больше 30-40 К, поэтому возможность создания высокотемпературных сверхпроводников считалась маловеро-ятной. Однако не исключены и иные механизмы сверхпрово-димости, например электронный или экситонный. Как было показано выше, при образовании куперовской пары кристал-лическая решетка, поляризованная электронами, выступает в роли посредника. Можно предположить, что существует дру-гая среда, обеспечивающая сильное межэлектронное притяже-ние.В кристаллах могут происходить процессы, в которых на сравнительно короткое время помимо фононов появляются и другие частицы. Например, в диэлектриках при возбуждении электроны из заполненной (валентной) зоны перебрасываются в зону проводимости и становятся свободными. Однако воз-можно и другое течение процесса, когда возбужденный элек-трон не разрывает связи с дыркой, возникшей в заполненной зоне, а образует с ней единую связанную систему наподобие атома водорода. Такую систему можно рассматривать как еди-ную частицу, называемую экситоном. Обмен экситонами, также как и обмен фононами, может приводить к притяжению между электронами.
Другое направление было предложено академиком В.Л. Гинзбургом: речь идет об осуществлении сверхпроводимости на поверхности кристалла или в тонком металлическом слое с помощью вспомогательных покрытий. При определенных ус-ловиях электроны в таком покрытии могут воздействовать на электроны в поверхностном слое металла, увеличивая их вза-имное притяжение. Такой эффект может привести к значи-тельному повышению Тсв. Наиболее обещающей с этой точки зрения является сложная структура, состоящая из тонкой ме-таллической пленки и прилегающих к ней с обеих сторон слоев диэлектрика.
Американский физик Литтл предложил искать высоко-температурную сверхпроводимость у полимеров особой струк-туры. Схематически модель органического сверхпроводника , предложенная Литтлом представлена на рис. 1.10.

Рис. 1.10. Схематическая модель органического сверх-проводника.
Она состоит из длинной полимерной нити с ответвле-ниями по бокам. Основное в этой модели - существование двух групп электронов: электроны проводимости движутся по про-водящим полимерным нитям, а электроны-посредники распо-лагаются в боковых ответвлениях. Когда электрон проводимо-сти проходит около ответвления, он наводит на короткое время положительный заряд на конце ответвления, примыкающего к главной нити. Другой электрон проводимости притягивается к области положительного заряда и поэтому косвенно притяги-вается первым электроном – картина похожая на образование кулеровских пар.
Сверхпроводящие материалы. Сверхпроводимостью обладают 26 металлов, большинство которых являются сверх-проводниками I рода со значением Тсв ниже 4.2 К. В этом за-ключается одна из причин того, что большинство сверхпрово-дящих металлов не удается применить для радиотехнических целей. Еще 13 элементов проявляют сверхпроводящие свойст-ва при высоких давлениях (кремний, германий, селен, теллур, сурьма и др.). Следует заметить, что сверхпроводимостью не обладают металлы, являющиеся наилучшими проводниками при нормальных условиях (золото, медь, серебро). Малое со-противление этих материалов указывает на слабое взаимодей-ствие электронов с решеткой. Такое слабое взаимодействие не создает вблизи абсолютного нуля достаточного межэлектрон-ного притяжения, способного преодолеть кулоновское оттал-кивание и сформировать куперовские пары. Поэтому и не про-исходит переход в сверхпроводящее состояние.
Температура перехода в сверхпроводящее состояние за-висит не только от химического состава но и от модификации самого кристалла. Например, одна из модификаций висмута может быть несверхпроводящей вилоть до очень низких тем-ператур, в то время как другие модификации обнаруживают сверхпроводимость. Берилий. в свою очередь, является сверх-проводником только в тонкопленочном состоянии.
До недавнего времени перспективным сверхпроводящим материалом считается ниобий. У ниобия наивысшая темпера-тура перехода среди чистых элементов -9,2 К. Однако критиче-ские поля у ниобия все же недостаточны для его
Читать далее...
комментарии: 0 понравилось! вверх^ к полной версии
Заголовок 25-05-2009 22:14


Все материалы, применяемые при производстве радиоэлек-тронных средств, подразделяют на конструкционные и радиомате-риалы.
Конструкционные материалы – это материалы, применяемые для изготовления элементов несущих конструкций, деталей пере-дающих механизмов, корпусов.
Радиоматериалы – это материалы, применяемые для изготов-ления элементной базы радиоэлектронных средств (индуктивных элементов, конденсаторов, резистивных элементов, полупроводни-ковых приборов, электронных ламп, антенн, волноводов, устройств функциональной электроники и т. п.). Радиоматериалы характеризу-ются определенными свойствами по отношению к магнитным и электрическим полям и их применяют с учетом этих свойств. Радио-материалы определяют работу электрической схемы радиоэлек-тронного устройства.
В зависимости от электрических и магнитных свойств радио-материалы подразделяют на следующие классы: диэлектрические материалы, проводники, полупроводники и магнитные материалы.
В данном учебном пособии рассматриваются проводниковые и полупроводниковые материалы и магнитные материалы. Учебное пособие состоит из 3-х глав. В 1-й главе рассматриваются физиче-ские основы проводимости проводниковых материалов и влияние различных факторов на проводимость. Кроме того, изложены основ-ные свойства, параметры и область применения проводниковых ма-териалов с малым и большим удельным сопротивлением. Во 2-й главе рассматриваются полупроводниковые материалы: основные представления об электропроводности полупроводников и влияние различных внешних воздействий на их свойства; приводятся основ-ные свойства, параметры и применение полупроводниковых мате-риалов при изготовлении активных элементов различного назначе-ния. В 3-й главе даются основные представления о теории магнетиз-ма, классификация магнитных материалов, основные свойства, пара-метры и особенности применения магнитомягких низкочастотных, магнитомягких высокочастотных и магнитотвердых магнитных ма-териалов.
Изложение материала в учебном пособии базируется на зна-ниях, полученных студентами при изучении предшествующих дис-циплин: «Физика», «Физико-химические основы микроэлектрони-ки».








ПРИНЯТЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ

e – заряд электрона
mo – масса электрона
n – концентрация электронов
ℓ - длина свободного пробега
с – удельное электрическое сопротивление, плотность
бс – температурный коэффициент удельного сопротив-ления
R□ – электрическое сопротивление тонких пленок (без индекса - сопротивление проводника)
г – удельная проводимость
J – эффективное значение тока
W – энергия
U – разность потенциалов, электрическое напряжение, скорость теплового движения
Е – напряженность электрического поля, модуль упруго-сти
I – сила тока
f – частота
щ – угловая частота
л – длина волны, коэффициент теплопроводности
с – скорость электромагнитной волны
m – масса
F – сила
h - постоянная Планка, толщина
k – постоянная Больцмана
S – площадь
V – скорость дрейфа, объем
Т – температура
t – время
бl – коэффициент термического линейного расширения
∆Э – ширина запрещенной зоны
мn - подвижность электронов
мd – подвижность дырок
ув – предел прочности на растяжение (без индекса - на-пряжение)
д – пластичность (относительное удлинение при разры-ве) материала
G – модуль сдвига
М – магнитный момент
Jм – намагниченность
kм – магнитная восприимчивость
Н – напряженность магнитного поля
Нс – коэрцитивная сила
Вs – магнитная индукция насыщения
Вr – остаточная магнитная индукция
м – относительная магнитная проницаемость
мо – магнитная постоянная
м н - начальная магнитная проницаемость
м s – максимальная магнитная проницаемость
fкр – критическая частота
дм –угол магнитных потерь
е – диэлектрическая проницаемость





1. ПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ
Проводниковыми называют материалы, основным электриче-ским свойством которых является высокая электропроводность. Это свойство в основном и определяет их широкое применение в РЭС. Проводниками электрического тока могут служить твердые тела, жидкости, а при соответствующих условиях и газы.
Твердыми проводниками являются металлы, металлические сплавы, оксиды металлов, некоторые модификации углерода, гетеро-генные композиционные материалы.
К жидким проводникам относятся расплавленные металлы и различные электролиты. Как правило, температура плавления метал-лов высока, поэтому при комнатной температуре в качестве жидкого металлического проводника может быть использована только ртуть. Температуру плавления, близкую к комнатной (29,8оС), имеет еще и галлий.
Механизм прохождения тока в металлах в твердом и жидком состоянии обусловлен движением свободных электронов, вследствие чего их называют проводниками с электронной проводимостью или проводниками первого рода.
Электролитами или проводниками второго рода, являются растворы (в основном водные) кислот, щелочей и солей, а также рас-плавы ионных соединений.
Сильно ионизированный газ при равенстве числа электронов и положительных ионов в единице
Читать далее...
комментарии: 0 понравилось! вверх^ к полной версии
Заголовок 25-05-2009 22:12


3.3. Керамика

3.3.1. Общие сведения

Керамикой называют материалы, полученные при высо-котемпера¬турном спекании неорганических веществ, включая минералы и окислы. По структуре керамика является много-фазной системой, состоящей из кристаллов, стеклофазы и газо-вой фазы; при этом химический состав стеклообразной фазы отличается от кристаллической.
Кристаллическая фаза представляет собой определенные химические соединения (с ковалентной или ионной связью) или твердые растворы этих соединений. Эта фаза составляет основу керамики и определяет основные свойства - механи¬ческую прочность, температурный коэффициент линейного расширения, термостойкость, диэлектрические параметры.
Стекловидная фаза находится в керамике в виде прослоек стекла, связывающих кристаллическую фазу. Обычно керами-ка содержит 1-10 % стеклофазы; увеличение ее содержания снижает механическую прочность, теплостойкость, гигроско-пичность материала. Однако исходные стеклообразующие компоненты керамики (глинистые вещества) улучшают техно-логические свойства материала - степень пластичности кера-мической массы при формообразовании, снижает температуру спе¬кания. Некоторые фазы керамики вообще не содержат стек-ловидной фазы.
Газовая фаза представляет собой газы, находящиеся в по-рах керамики; по этой фазе керамику подразделяют на плот-ную (без наличия пор), без открытых пор и пористую. Наличие пор обусловлено способом обработки керамической массы. Пористость приводит к снижению механической и электриче-ской прочности изделий, вызывает повышенные диэлектриче-ские потери вследствие ионизации газовых включений.
Метод изготовления изделий из керамики зависит от ви-дов исходных компонентов, особенности конфигурации детали и масштаба производства. Для каждого конкретного случая процесс изготовления может несколько видоизменяться, но любая технологическая схема включает следующие основные операции: тонкое измельчение исходных компонентов и тща-тельное их смешивание; пластификация массы и образование формовочного полуфабриката; формообразование заготовок; сушка и спекание изделий (высокотемпературный обжиг). Об-жиг кера¬мических изделий является важным завершающим этапом технологичес¬кого цикла. В процессе обжига, преиму-щественно в стадии нагрева, удаляется вода и происходит вы-горание пластификатора, осуществляются химические реакции между частицами компонентов, вследствие чего образуются кристаллические и аморфные фазы. Механизм спекания сло-жен, как правило, он включает течение твердого вещества вследствие термически активируемых перемещений атомов компонентов. Температура, обеспечивающая спекание керами-ки, находится в пределах 1200-2000 оС и более в зависимости от видов исходных компонентов. В процессе обжига форми-руются заданные физические и электрические свойства мате-риала. Поэтому процесс спекания происходит по строго задан-ному температурному и газовому режимам в окислительной, восстановительной или в нейтральной среде.
Неорганический характер керамических материалов при-дает им свойства, отличающие их от металлов и органических материалов. Керамические материалы стойки против высоких температур, воды и воздействия активных химических ве-ществ, не горючи, не имеют остаточ¬ных деформаций и не ста-реют от длительной электрической и тепловой нагрузок, стой-ки к воздействию излучений высокой энергии. Они обладают хорошими диэлектрическими характеристиками при достаточ-ной механической прочности - как и ситаллы, керамика отно-сится к хруп¬ким материалам.
Согласно ГОСТ 5458 «Материалы керамические радио-технические» подразделяются на три типа А, Б, В и десять классов в зависимости от величины диэлектрической прони-цаемости, температурного коэффициента диэлектрической проницаемости, тангенса угла диэлектрических потерь и меха-нической прочности. Керамические материалы типа А (классов I, II, III) – предназначенные для изготовления высокочастот-ных конденсаторов; материалы типа Б (IV, V) - низкочастот-ные для конденсаторов. Материалы типа В (VI-X классов) – высокочастотные для изготовления установочных деталей.

3.3.2. Конденсаторная керамика

Конденсаторная керамика отличается небольшим содер-жанием бесщелочной аморфной фазы. При этом кристалличе-ские фазы формируются с условием получения наибольшего значения диэлектрической проницаемости ε, меньшего tgδ и определенной величины температурного коэффициента ди-электрической проницаемости ТКε.
Высокочастотная конденсаторная керамика (типа А) подразделяется на классы в зависимости от величины темпера-турного коэффициента диэлектрической проницаемости. Об-щие электрические свойства приведены в табл.3.3.

Таблица 3.3

Электрические характеристики высокочастотной кон-денсаторной керамики

tgδ при 106 Гц ε при 106 Гц ТКε 106К-1 Удельное сопротив-ление ρv, Ом м Электрическая прочность Е при постоян-ном напряже-нии, МВ/м
(3-5) 10-4 14-250 (+33÷-3300) 109-1010 8-25
Необходимо отметить, что высокочастотная керамика с большой диэлектрической
Читать далее...
комментарии: 1 понравилось! вверх^ к полной версии
Заголовок 25-05-2009 22:11


ПКО-1-1-2 (КФ-10), ПКО-1-2-4 (КМС-9)* применяется при из-готовлении различных тонкостенных малогабаритных деталей, работающих при высоких температурах и частотах. Материалы марок РТП-170, РТП-200, отличающихся высокой стабильно-стью диэлектрических, прочностных свойств и линейных раз-меров деталей, применяются для изготовления корпусов высо-кочастотных микровыключателей.
Композиции на основе метилсилоксановой смолы в виде олигомера и окислов металлов представляют собой высоковяз-кие проводящие пасты, которые не меняют своих свойств в ин-тервале -40  +200 оС, не¬токсичны и не вызывают коррозии металлов. Паста теплопроводящая марки КПТ-8 на основе этой композиции применяется для обеспечения эффективного кон-такта между соприкасающимися поверхностями мощных по-лупроводниковых приборов и теплоотводящих радиаторов.
В полиимидных пресс-материалах в качестве наполните-лей используется измельченное бесщелочное алюмоборосили-катное стекло или дисульфид молибдена. Они обладают высо-кими прочностными и диэлектрическими свойствами, сохра-няющимися в широком диапазоне температур, не вызывают коррозии цветных металлов. Из всех существующих материа-лов полиимидные наиболее стойки к действию радиационных излучений. Интервал рабочих температур составляет -180  +250 оС.
Пресс-материалы марок ПМ-67, ПАИС-10С применяются для изготовления высокочастотных деталей конструкционного назначения, работающих до температуры 250 оС. Основные показатели некоторых марок пресс-материалов, широко ис-пользуемых для изготовления деталей РЭС, приведены в табл.2.8.

____________________________
* В скобках дается старая маркировка пресс-материалов.

Таблица 2.8

Основные механические и электрические показатели
некоторых пресс-материалов

Показатели Марки пресс-материалов
Фенопласт
электро-изоляци-онный
Э1-340-02
(К-211-2) Фено-пласт
ударо-прочный
АГ-4В Эпоксид-ный
пресс-материал
ЭКП-200 Крем-непласт
ПКО-1-1-1
ПКО-1-1-2 Поли-имидный
пресс-
материал
ПМ-67
1 2 3 4 5 6
Разрушающее напряж.., МПа
при растя-жении; 27 60-80 26 15 120
при изгибе 59 168-176 60 25 180-240
Ударная вяз-кость, кДж/м2 4,9 6,9-88 8,0 3,0 60
Температур-ный коэффи-циент линей-ного расши-рения,
10-5 оС-1 4-5 1,0-1,5 3,0 2,5-3,0 3,9
ε (106 Гц) 4,5-5,5 7,0 4,4-5,0 2,8-3,0 3,2-3,5
tg δ (106 Гц) 0,01 0,04-0,05 0,02 0,006 0,004
ρ, Омм 5 1010 1012 1012 1013 1014
Епр, МВ/м 13 13-17 20 13 22
Интервал ра-бочих тем-ператур, оС -60÷ +110 -40÷
+120 -60÷
+155 -60÷
+250 -180÷
+260

2.5.4. Пластмассы с листовым наполнителем

Слоистые пластики представляют собой материалы, изго-товленные методом прессования волокнистых наполнителей (бумаг, тканей), предварительно пропитанных смолами. Слои-стые пластики в общем виде являются полимерными материа-лами, армированными параллельно распо¬ложенными слоями наполнителя. Это определяет анизотропию их свойств в на-правлениях перпендикулярно и параллельно расположенных слоев наполнителя.
В качестве связующих материалов в слоистых пластиках в основном применяются фенолоформальдегидная и эпоксид-ная смола или комбинация на основе этих смол, и реже крем-неорганическая смола. Наполнителями служат бумага, стекло-волокна, хлопчатобумажные ткани, асбестовые ткани, стекло-ткани и синтетические ткани на основе капрона, лавсана. В за-висимости от типа наполнителя слоистые пластики получили название гетинаксов, стеклопластиков, текстолитов, стеклотек-столитов. В устройствах радиоэлектронных средств наиболь-шее применение получили гетинакс, стеклопластик, стеклотек-столиты и текстолиты на основе синтетических тканей.
Гетинакс представляет собой листовой слоистый прес-сованный материал, изготовленный из слоев бумаги, пропи-танных термореактивной смолой. Для гетинакса используют бумаги из целлюлозы, изготовленной сульфатным способом. Такие бумаги обладают большой механической прочностью и лучшей пропитываемостью смолами, чем бумаги из сульфит-ной целлюлозы. В качестве связующих материалов применя-ются фенолоформальдегидная и эпоксидная смолы.
Процесс изготовления гетинакса состоит из пропитки бу-маги смолой, сушки и прессования пакетов под давлением 6-10 МПа при температуре около 150-160 оС. Время выдержки при прессовании зависит от типа применяемой смолы и тол-щины листа.
Изготовляются несколько типов и марок гетинакса, опре-деляемых видом связующего вещества и бумаги, предназна-ченных для работы в различных условиях эксплуатации.
Некоторые свойства гетинакса 111 (по ГОСТ 2550-82) марки 1 (по ГОСТ 2718-74) приведены в табл. 2.9.
Таблица 2.9

Свойства слоистых пластиков

Показатели Гетинакс (марки 1) Гетинакс (марки ЛГ) Стекло-текстолит (марки СТЭН) Тексто-лит мар-ки ЛТ)
1 2 3 4 5
Плотность, кг/м3 1350-1450 1250-1350 1000-1900 1250-1350
Модуль упруго-сти при растя-жении, Мпа 10103 -18103 10103-18103 - 6 103
Разрушающее напряжение при изгибе перпен-дикулярно сло-ям, МПа:
вдоль листа, 150 80 400 120
поперек
Читать далее...
комментарии: 1 понравилось! вверх^ к полной версии
Без заголовка 25-05-2009 22:09


ПС получают методами блочной, суспензионной или эмульсионной полимеризации из стирола. Структура ПС состоит из линейных полимерных макромолекул с фенильными радикалами [-CH2-CHC6H5-]n. При молекулярной массе М 30000-70000 он представляет собой вязкие жидкости (применяется для лаков), а при М равной 200000-300000 является твердым полимером. Основные физико-механические свойства блочного ПС приведены в табл. 2.2. Свойства эмульсионного и суспензионного ПС мало отличаются от блочного.
ПС стоек против действия щелочей, многих органических и минеральных кислот, трансформаторного масла, глицерина, но он набухает в 65 %-й азотной кислоте, в бензине и керосине; растворим в ароматических и хлорированных углеводородах, в сложных эфирах. При температуре 200 оС ПС разлагается с образованием стирола и других низкомолекулярных соединений.
Полистирол является неполярным материалом, диэлектрические свойства которого мало изменяются от температуры примерно до 70 оС.

Таблица 2.2

Диэлектрические и физико-механические параметры
полистирола

Показатели Блочный
ПС Показатели Блочный ПС
1 2 3 4
Плотность, кг/м3 105-1080 Температурный коэффициент линейного расширения, оС 8 10-5
Прочность, МПа:
при растяжении
35 Водопоглощение за 24 ч. при 20 оС не более, % 0,2
при статическом изгибе - Длительная рабочая температура, о С 70
Ударная вязкость, кДж/м2 16-20 Удельное объемное сопротивление v, Ом м 1015
Модуль упругости
при изгибе, МПа
2700 Удельное поверхностное сопротивление s, Ом 1016
r при 103 Гц 2,5-2,6
Относительное удлинение, % 1,5 tg при 103 Гц (2-3)10-4
Теплостойкость по Мартенсу, оС 75-80 Епр, МВ/м 25

Полистирол обладает относительно низкой механической прочностью и низкой ударной вязкостью, кроме того, имеет невысокую нагревостойкость и склонность к быстрому старению. Старение выражается в появлении на поверхности сетки мелких трещин из-за удаления присутствовавшего мономера и из-за неравномерных напряжений вследствие неодинаковой степени полимеризации. Для устранения про¬цесса старения и повышения пластичности полистирол эластифицируют синтетическими каучуками, что позволяет применять его в качестве конструкционного материала (свойства такого ПС будет рассмотрено в разд. 2.4).
Из полистирола изготавливают каркасы ВЧ катушек индуктивности, изоляцию ВЧ кабелей, корпуса приборов, пленки (стирофлекс) для конденсаторов типа К71, опорные изоляторы антенн. На основе полистирола изготавливают пропиточные и покровные компаунды для дросселей и трансформаторов.
Полифениленоксид (арилокс) - это органический синтетический гетероцепной полимер, получаемый методом поликонденсации из 2,6-диметилфенола в жидкой фазе; степень кристалличности его составляет 20 %. Структурная формула макромолекулы полифениленоксида (ПФО) представлена на рис. 2.3 а, а основные диэлектрические и физико-механические свойства приведены в табл. 2.3.
Полифениленоксид является слабополярным материалом, он сочетает высокую механическую прочность с хорошими электрическими свойствами в широком диапазоне температур и частот. Температура хрупкости ПФО лежит ниже -170 оС, размягчается он при температуре 215-280 оС.



Рис. 2.3. Структурные формулы макромолекул полифениленоксида (а) и поликарбоната (б)



Таблица 2.3

Основные диэлектрические и физико-механические свойства ПФО, ПК и ПЭТФ

Показатели Полифенилен-оксид (ПФО) Поликарбонат (ПК) Полиэтилентерефталат (ПЭТФ)
1 2 3 4
Прочность, Мпа:
при растяжении 75 65-80 170
при изгибе 105 80-130 -
Модуль упругости
при растяжении, Мпа 2300-2700 1400-2400 2900-3800
Относительное удлинение, % 6-7 50-110 70
Ударная вязкость, Дж/м2 20-40 100-120 70-90
Удельное сопротивление:
объемное v, Ом м; 1014 1014 1015
поверхностное s, Ом 1015 - -
на частоте (50-106 Гц) 2,5-2,58 2,6-3,1 3,1-3,2
tg (106) Гц 9 10-4 6 10-4 3 103
Электрическая прочность, E МВ/м 16-20 30 180 (для тонких пленок)
Теплостойкость по Мартенсу, oС 190 115-120 -
Холодостойкость, oС <-170 <-100 -
Водопоглощение за 24 ч.,% 0,1 0,2 -
Длительная рабочая температура, oС ~115 130-140 120-130
Электрические свойства мало изменяются в интервале -180 +180 оС. Полимер стоек против действия разбавленных кислот и щелочей, водяного пара; растворим в ароматических и хлорированных углеводородах. ПФО самозатухает, имеет высокую искростойкость.
Полимер имеет низкую эластичность - относительное удлинение его составляет 3-8 %. Для повышения эластичности применяют эластифицированные ПФО, что позволяет применять его для изготовления пленок (норил), каркасов катушек индуктивности, печатных плат, корпусов, работающих в области высоких частот и в широком диапазоне температур.
Поликарбонат (ПК) - сложный полиэфир, получаемый поликонден¬сацией дифенилолпропана и угольной кислоты (фосгена), который вы¬пускается под названием дифлона. ПК является прочным, жестким, прозрачным материалом со степенью кристалличности около 20 %. Структурная формула поликарбоната изображена на рис. 2.3 б;
Читать далее...
комментарии: 2 понравилось! вверх^ к полной версии
Без заголовка 25-05-2009 22:02


ГОУВПО «Воронежский государственный
технический университет»




А.В. Чернышов


РАДИОМАТЕРИАЛЫ

Часть 1

ОРГАНИЧЕСКИЕ И НЕОРГАНИЧЕСКИЕ
ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ






Утверждено Редакционно-издательским
советом университета в качестве учебного пособия







Воронеж 2007

УДК 621.396.66

Чернышов А.В. Радиоматериалы. Ч. 1: Органические и неорганические диэлектрические материалы: учеб. пособие/ А.В Чернышов. Воронеж: ГОУВПО «Воронежский государ-ственный технический университет», 2007. 187 с.
В учебном пособии рассматриваются органические и не-органические диэлектрические материалы, применяемые при изготовлении различных элементов радиоэлектронных средств.
Издание соответствует требованиям Государственного образовательного стандарта высшего профессионального об-разования по направлению 210200 «Проектирование и техно-логия электронных средств», специальности 210201 «Проек-тирование и технология радиоэлектронных средств», дисцип-лине «Материаловедение и материалы РЭС».
Издание может быть использовано при самостоятельном изучении дисциплины «Материаловедение и материалы РЭС», при выполнении курсовых проектов конструкторского и технологического направления.

Табл. 27. Ил. 37. Библиогр.: 8 назв.

Научный редактор д.-р. физ.-мат. наук, проф. Ю.С .Балашов

Рецензенты:
доктор физ.-мат.наук, профессор В.Н.Санин

Кафедра физики и химии
Воронежского авиационного
инженерного училища
Зав.кафедрой, канд.физ.-мат.наук, доцент А.Ф.Сидоркин

 Чернышов А.В., 2007
 Оформление. ГОУВПО «Воронежский госу-дарственный технический университет», 2007.

ВВЕДЕНИЕ

Все материалы, применяемые при изготовлении радио-электронных средств, подразделяют на конструкционные и ра-диоматериалы.
Конструкционные материалы – это материалы, исполь-зуемые для изготовления элементов несущих конструкций, корпусов, деталей передающих механизмов.
Радиоматериалы – это материалы, применяемые при из-готовлении элементной базы радиоэлектронных средств (рези-сторов, конденсаторов, индуктивных элементов, трансформа-торов, полупроводниковых приборов, электронных ламп, ан-тенн, волноводов, устройств функциональной электроники и т.п.). Радиоматериалы характеризуются определенными свой-ствами по отношению к электрическим и магнитным полям и применяются с учетом этих свойств, которые определяют ра-боту электрической схемы радиоэлектронного устройства.
В зависимости от электрических и магнитных свойств все материалы подразделяют на четыре класса: диэлектрические материалы, проводники, полупроводники и магнитные мате-риалы.
В данном учебном пособии рассматриваются пассивные и активные диэлектрики, применяемые для изготовления раз-личных элементов радиоэлектронных средств. Учебное посо-бие состоит из 4-х глав. В 1-й главе приведены основные све-дения о физических процессах, протекающих в диэлектриче-ских материалах под действием электрических полей, и ос-новные параметры, которыми характеризуются диэлектрики. Во 2-й и последующих главах рассматриваются пассивные (ор-ганические и неорганические) материалы и активные диэлек-трики: сегнетоэлектрики, пьезоэлектрики, электреты, материа-лы твердотельных лазеров и жидкие кристаллы. Изложение материала в учебном пособии базируется на знаниях, получен-ных студентами при изучении предшествующих дисциплин: «Физика», «Физико-химические основы микроэлектроники».

Принятые обозначения

ε – относительная диэлектрическая проницаемость
εо – диэлектрическая постоянная
Q – заряд, добротность
q – элементарный заряд
δ – угол диэлектрических потерь
С – емкость конденсатора
R – активное сопротивление
ρv – удельное объемное электрическое сопротивление
ρs – удельное поверхностное электрическое сопротивле-ние
γ – удельная проводимость
J – эффективное значение тока
Ра – диэлектрические потери (активная мощность)
Р – удельные потери
W – энергия
U – разность потенциалов, электрическое напряжение
Uпр – пробивное напряжение
Е – напряженность электрического поля, модуль упруго-сти
Епр – электрическая прочность
d – плотность, пьезомодуль
f – частота
ω – угловая частота
λ – длина волны
D – электрическая индукция
с – скорость электромагнитной волны
m – масса
F – сила
h - постоянная Планка, толщина
S – площадь
V – объем
Т – температура
t – время
К – коэффициент электромеханической связи
Vс – скорость распространения продольной ультразвуко-вой волны
Vt – скорость распространения поперечной (сдвиговой) ультразвуковой волны
Vs – скорость распространения поверхностной ультра-звуковой волны
d – коэффициент затухания ультразвуковой волны
dl – коэффициент термического линейного расширения
dr – температурный коэффициент скорости распростра-нения ультразвуковой волны
n – степень полимеризации, концентрация электронов
δв – предел прочности на растяжение (без индекса - на-пряжение)
а – ударная
Читать далее...
комментарии: 0 понравилось! вверх^ к полной версии
Без заголовка 19-11-2008 19:02


у всех всё хорошо
у всех всё заебись
так ебитесь не давай те мне повода напасть на вас
комментарии: 0 понравилось! вверх^ к полной версии
Без заголовка 30-10-2008 14:37


:mms_deth: ха кто то еще читай этот блог))) ну приятно прям оч)))))))
может просто кто то глядит тож приятно спасип))))))

что вам рассказать меня волнует одна вещь но я надеюсь её решу! задолбала реклама с лысым мужиком ангелом ему что глаз подбили что ли!?
 (600x419, 33Kb)
комментарии: 0 понравилось! вверх^ к полной версии
Без заголовка 10-10-2008 21:23


лучшое что я слышал за многое многое время
последний альбом Kings of Leon......
советую.........
комментарии: 0 понравилось! вверх^ к полной версии
Без заголовка 15-09-2008 00:01


elfk. yfdthyj z 'njn lyta dc` hfdyj vtyz yt rnj yt xbnftn))))
комментарии: 1 понравилось! вверх^ к полной версии
когда осень плачет.... всегда идёт дождь! 07-09-2008 19:14


подать вставть плакать и ждать!

мммм короче вообще одни одни концерты я был в выходе на своей любимой группе нот энаф каш! вообще было круть))) так отожгли и всё такое)))

потом был на открытие скейт шопа в сотке)) тока первая группа лост радио вэйф меня оч парадывала))) понравилься момент када клавишник группы выбежал со сцены и танцевал около неё минуты две один прыгал скакал был очень круто!
тока зря такой долгий сделали концерт!

я кста есть на ластфм http://www.lastfm.ru/user/Un_Nir
берите меня в друзья или сравнивайте наши вкусы))))

что еще рассказать учёба пока радует! хОтя сука ток чертежи растраивают.... я не умею чертить....

пробиваюсь в команду факультета по футболу... на место вратаря))) крутой)))
[604x453]
комментарии: 0 понравилось! вверх^ к полной версии
Без заголовка 25-08-2008 14:31


не с кем погулять ...... девушка ушла сказала какая разница короч вообще не весело.....
комментарии: 0 понравилось! вверх^ к полной версии
любовь 23-08-2008 22:22


лазиние по контакту убивает) хотя и веселит оч)))
в жизни всё меняитцо хотя всё по старому)
старое и есть новое а новое старое) короч нету нового и старого) есть как есть)
искал группу кста в контакте про фильм НИРВАНА ... что т не нашёл)
слушаю сейчас спокойную музыку хотя вот недавно орало скримо коры)))
оч полюбил группы с длиными дурацкими названиями(
вообще когда ответят на моё резюме?
комментарии: 0 понравилось! вверх^ к полной версии
Без заголовка 14-08-2008 02:25


на зареееееееее голоса завут меня))))))))))))))))))))))))))0

плачу)
комментарии: 0 понравилось! вверх^ к полной версии
Офис 12-08-2008 01:50


Абажаю этот сериал))))))) смарю каждый день)))))))) фот и всё)
комментарии: 0 понравилось! вверх^ к полной версии
ясно 06-08-2008 00:17


сегодня много гулял потом марими уснула у меня дома))) она спала как ангел я её целовал ток после сна она этого не вспомнила увы( может надо было её разбудить.. но всё равно я её потома зацеловал! она полюбила морскую капусту какая она ужасная на вид... и сыр она любит сыРРРРРР ! забавно))) када я её провожал она меня попрасила купить ей кальмароф или рыбки я купил но... она не стала их есть... по тому что не понравилось... и отдала мне их))) и када я шёл домой спускалься по длиной бетоной лесници то увидел черного кота это сын моего кота Мусика я всё время пытаюсь его погладить но он не даётца((( и вот сегодня я его потихоньку звал и давал ему кальмаров.. он не шёл я решил оставлю на этой леснице их и пойду када я обернулься он уже их ел)))) РРРРРРРЫЫЫЫЫ
контакт налажен)))
[501x376]
комментарии: 0 понравилось! вверх^ к полной версии
андероф 04-08-2008 13:11


ну вот опять дождь и я пишу в блог что сказать качаю музыки гигабайты слушаю андеров! просто хожу и напиваю его) а моя девочка любит гуфа и центр хммм шлак)))
хотя каждому своё)))

что еще нового какие соображение... да сегодня умер великий человек ... царство ему небесное...

ушёл думать всем спасип кто меня читает прада приятно если конечно такие есть)
[451x450]
комментарии: 0 понравилось! вверх^ к полной версии