Группа исследователей из Барселонского университета (Испания), совместно с учёными Национальной лаборатории Аргонны (США) и Лаборатории Spintec в Гренобле (Франция) описали эффект микроскопических магнитных вихрей (смещённых вихревых состояний), который способен сильно увеличить плотность перспективной магнитной памяти нового поколения.
[показать]
Принцип работы магнитной памяти MRAM состоит в формировании зон микронного размера, которые можно использовать для хранения данных. Сложность заключается только в том, чтобы магнетизм одной зоны не влиял на соседнюю. Для этого нужно, чтобы эти магнитные области находились достаточно далеко друг от друга. Магнитные поля вихревых состояний сконцентрированы внутри таких зон, что дает возможность сильно увеличить плотность записи. Для достижения такого эффекта учёные использовали материалы с противоположными магнитными свойствами, что дало формирование “смещённых” вихревых состоянии, в которых внешнее магнитное поле не наблюдалось.
http://compulenta.ru