Одновременно с анонсом новых 128-Гбайт карт памяти компания SanDisk Corporation в рамках выставки CES 2012 заявила о скором переводе встраиваемой флеш-памяти линейки iNAND Ultra на 19-нм проектные нормы. Согласно данным производителя, это первые продукты такого типа в отрасли, которые будут выпускаться по столь тонкому техпроцессу.
Комбинация передового техпроцесса и современной технологии упаковки позволит создавать ещё более тонкие и компактные чипы памяти для мобильных устройств. В корпусах с габаритными размерами 11,5 х 13 х 1 мм можно разместить микросхемы общей ёмкостью 64 Гбайт. Новые чипы характеризуются высокой производительностью – до 20 Мбайт/с в операциях последовательной записи и до 80 Мбайт/с в операциях последовательного чтения.
Массовое производство 19-нм продуктов iNAND Ultra стартует во втором квартале текущего года.