Корпорация Intel сообщила об успешном завершении исследовательских
работ по внедрению нового технологического процесса с размером
транзисторов 32 нм. Компания приступит к производству первых микросхем
на базе этой технологии в 4-м квартале 2009 г., как и планировалось
ранее. Об этом сообщается в пресс-релизе.
Технические особенности новых процессоров будут представлены на
международной конференции в области электронных устройств IEDM, которая
пройдет на следующей неделе в Сан-Франциско. В исследовательских
документах описывается технология конструирования транзисторов high-k +
metal gate, а также способы применения 193-нм иммерсионной литографии.
В случае успешного перехода на 32-нм технологический процесс в 2009
г., корпорация в очередной раз докажет состоятельность стратегии
«tick-tock». Это стратегия, которой Intel следует с 2006 г.,
заключается в том, что после уменьшения технологического процесса
архитектуры предыдущего поколения («tick») появляется новая архитектура
(«tock»). При этом «tick» и «tock» происходят последовательно каждый
год. Так, в 2008 г. была представлена новая микропроцессорная
архитектура Nehalem, в 2009 г. ожидается ввод 32-нм топологии, а в 2010
г. запуск новой архитектуры под названием Sandy Bridge. В 2011 г.
планируется уменьшение транзисторов до 22 нм и так далее. В настоящее
время процессоры Intel (архитектура Nehalem, а также предыдущая –
Penryn) имеют 45-нм топологию.
[440x315]
В 2008 г. была представлена новая микропроцессорная архитектура Nehalem
Другие чипмейкеры также работают над внедрением 32 нм и для успешного достижения поставленных задач даже сформировали альянс.
В него входят IBM, Toshiba, AMD, Samsung, Infineon, Freescale и другие
известные компании. Работа группы продлится до 2010 г. Intel, однако,
не вошла в консорциум. «Нам не нужно заключать соглашений. Мы и так
способны лидировать в данной области», - заявили в компании.
Помимо этого, на предстоящей в Сан-Франциско конференции Intel
затронет текущий техпроцесс, расскажет о транзисторах на сложных
полупроводниках и примет участие в краткой лекции о 22-нм технологии с
принципом построения электронных схем CMOS.