Калифорнийское отделение австралийской компании 4D-S Pty. Ltd. В результате длительных исследований вплотную подошла к промышленной реализации технологии RRAM (Resistive Random Access Memory), которая вполне способна совершить переворот на рынке оперативной памяти.
[показать]
Основой работы ячеек памяти RRAM является свойство некоторых материалов изменять электрическое сопротивление под воздействием импульсов электрического тока. Эффект RRAM был впервые открыт еще в 2000 году, с тех пор по этой технологии было проведено множество академических исследований. Множество крупнейших компаний-производителей микросхем памяти, среди которых были такие известные как Sharp, Sony, Samsung, LSI, Panasonic, Winbond, Unity, Hynix, Micron, Elpida и другие, проводили собственные исследования в этой области. По имеющейся информации, только одни японские компании вложили в исследования технологии RRAM сумму более ста миллионов долларов. Но до сих пор не было найдено приемлемого решения в этой инновационной технологии.