анализ имеющейся в малом количестве информации позволил определить кое-какую периодику...
предпосылки и этапы становления оптоэлектроники

- Теория Планка о поглощении и испускании излучения
- А. Эйнштейн Теория фотоэффекта
- 20е гг 20в. формирования квантово-волновой теории оптического излучения.
- описания процессов вынужденного(индуцированного излучения). возможность усиления света активной средой
-54г. молекулярный генератор на аммиаке
- середина 60х - создание полупроводниковых гетеролазеров
- 1947г - изобретение голографии (15и летнее забвение метода( )
- 20е гг - развитие идей нелинейной оптики. однако технич. значимость преобретена лишь после 1961г, при демонстрации эффекта удвоения частоты излучения рубинового лазера в кристалле кварца (П. Франкен).
- 1927 г - свечение карбид-кремниевых детекторов.
- 1955 инжекционная люминисценция в арсениде галлия.
- 1962-64 светодиоды ИК диапазона, позже - красные и зелёные, и а 1967 - первые цифровые светодиодные индикаторы на основе тройного соединения арсенид-фосфид галия.
- обнаружение жидкокристаллического (мезофазного) состояния орг. веществ в 1888г, но исп-е жидких кристаллов в индикаторах лишь в 1969г после синтеза сверхчистых материалов и обнаружения в них электрического эффекта динамического рассеяния.
- середина 19в - обнаружениесвечения электрического разряда в газах. первый газоразрядный индикатор лишь в 1954г, а многоэлементная плазменная панель, - лишь начало 70х гг. 20в.
- 40е гг. - низковольтная катодолюминисценция, индикаторы на этом эффекте 1966-67гг.
- 1873г - открытие внутреннего фотоэффекта (У. Смит) 1888 - внешний (А.Г. Столетов)
- 1917г - начало промышленного использования фоторезисторов.
- 40е гг - создание приборов ,чувствительных в ИК диапазоне. 1950е - фотоэлектические приборы с p-n-переходом (фотодиоды, фототранзисторы, солнечные преобразователи).
- 1870 - демонстрация возможности распространения света по криволинейной траектории Дж. Тиндалем. содание в середине 1950х гибких двуслойных стеклянных световодов (зарождение волоконной оптики).
- 1966г - идеи волоконно-оптической свзязи, 70е гг - получение первых высокочистых волокон, пригодных для этой цели.
- 1955г - схемотехника оптопар, 1965 - начало промышленного выпуска оптопар для электрической развязки.
- 1964гг - демонстрация шести приборов с оптической вязью: твердотельный переключатель, многоканальный переключатель(мультиплексор), входной усилитель, элемент смещения, прерыватель и дифференциальное устройство к одностороннему преобразователю.
- 1967 - исследовательские работы в области устройств оптической памяти, 84г - начало промышленного выпуска оптических накопителей.
- Годом возникновения оптоэлектроники можно считать 1955-й, когда Е. Лоебнер (Loеbner Е. Е. Optoelectronic devices and networks//Proc. 1ЕЕЕ. 1955. V. 43. N 12. Р. 1897 — 1906) описал потенциальные параметры различных оптоэлектронных устройств связи, нынче называемых оптронами, т. е. когда были обсуждены основные характеристики соединения оптического и электронного устройств.
- Появление в начале 1960-х годов лазеров способствовало ускорению развития оптоэлектроники. Потенциальные характеристики лазеров описаны еще в 1958 г., а уже в 1960 г. был создан самый первый лазер — газовый, на основе смеси гелия и неона. Генерирующие непрерывное излучение при комнатной температуре полупроводниковые лазеры, которые в настоящее время получили наиболее широкое применение, стали выпускаться с 1970 г.
- Важным моментом в развитии оптоэлектроники является создание опти-ческих волокон. Особенно интенсивными исследования стали в конце 1960-x годов, а разработка в 1970 г. американской фирмой "Корнинг" кварцевого волокна с малым затуханием (20 дБ/км) явилась эпохальным событием и послу-жила стимулом для увеличения темпов исследований и разработок на все 1970-е годы.


бррр... и вот из вот этого надо как-то сварганить реферат на 30 листов не углубляясь в технические детали и как-то приплетя сюда философию...