• Авторизация


Власовы. Часть 2 09-12-2011 16:13 к комментариям - к полной версии - понравилось!


 

 

Дети Игоря Валентиновича и Наталии Дмитриевны:                       

 Дочь – Майя Игоревна Власова. Окончила биологический факультет СаГУ. Кандидат биологических наук. Работала в институте генетики и морфологии растений АнУзССР. Последнее место работы – доцент аграрного факультета Ташкентского института сельского хозяйства.

 

[515x700]

Дегтяренко Наталия Дмитриевна с дочерью Майей

 

Майя Игоревна проживает в Ташкенте. Проживала... Майя Игоревна умерла в 2015 году в возрасте 82 лет.

Есть  дочь Анна, проживает в Греции.

 

Сын – Сергей Игоревич Власов, 1949 г.рождения.

В 1973г. закончил Физический факультет Ташкентского Государственного Университета (сейчас Национальный Университет Уз. - НУУз)  по специальности физика полупроводников и диэлектриков.

По распределению был оставлен на кафедре «Физики полупроводников и диэлектриков» в качестве инженера.

В 1979 г в Ташкенте в  ФТИ АН УзССР  защитил кандидатскую, а в  1991г.,  в Ленинграде в ФТИ РАн - докторскую  диссертацию.

С 1994 г. - профессор.

 С 1996 г.по настоящее время (2011 г.)  - заведующий кафедрой «Физика полупроводников и диэлектриков» НУУз.

Читает лекции по дисциплинам: Механика; Физика полупроводниковых приборов; Физика поверхности полупроводников;  Микро-  и  нано-электроника.

 

[700x525]

Власов С.И.

 

Область научных интересов: физические процессы, протекающие на межфазных границах раздела полупроводник - диэлектрик, Методы измерения параметров полупроводниковых структур. 

Опубликовано 250 научных работ, 1 монография, 17 учебных пособий.

Принимал участие в 70 конференциях (как международных, так и республиканских).

С.И. Власов ведёт активную научно-педагогическую деятельность: среди его учеников - победители республиканских конкурсов студенческих работ, президентский стипендиат.

Подготовил 10 кандидатов и 1 доктора наук.

Постоянный руководитель и исполнитель  хоздоговорных работ, республиканских и международных научных грантов.

Заместитель председателя специализированного совета по присуждению учёных степеней доктора и кандидата наук. Член координационного совета по физике АН  рУз.

Периодически организует и проводит международные (2007-2009 гг.) и республиканские (2006,  2007, 2008 гг.) конференции.

Установил тесные контакты с научными центрами России, Южной Кореи и Финляндии, куда направляет для совместной работы преподавателей и аспирантов кафедры.

В 2008 г. награжден медалью «Шухрат».

 

 

Семья: жена Лариса Владимировна Власова (Миронова), окончила Ташкентский институт ирригации и механизации сельского хозяйства в 1974 г. Работала инженером в проектном институте «Узгипроводхоз».  

Сыновья – Юрий – закончил Ташкентский юридический институт (первый выпуск), успешный юрист, проживает в Ташкенте.

Александр - окончил географический факультет НУУз. В настоящее время -гражданин России. Есть внуки.

 

По отзывам коллег и друзей, Сергей Игоревич – человек, в котором сочетаются такие редкие даже сами по себе качества, как энциклопедическая образованность, высочайший профессионализм, исключительные организаторские и ораторские способности  и необыкновенная отзывчивость, сострадательность, гуманность.

 

С.И.Власов, считая Узбекистан своей единственной Родиной, в совершенстве владеет узбекским языком, читает  лекции и  публикует свои работы на этом языке, в качестве примера можно привести следующие:

 

УЧЕБНОЕ ПОСОБИЕ «ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ». Описаны основные принципы работы современных полупроводниковых приборов. Подробно изложены современные физические модели работы таких полупроводниковых приборов как контакты металл-полупроводник, диодные структуры, биполярные и полевые транзисторы, Рассмотрены приборы, работающие как в низкочастотном, так и в СВЧ диапазоне. Приведены подробные методы расчета их рабочих характеристик; рассмотрены температурные и частотные зависимости рабочих параметров и сравнительные характеристики приборов¸ выпускаемых различными странами; показан внешний вид большинства описанных приборов.

 

УЧЕБНОЕ ПОСОБИЕ «ФИЗИКА ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ».

 Описаны основные понятия и определения физики поверхности полупроводниковых материалов и приборов. Подробно изложены современные физические модели поверхности и поверхностных электронных состояний. Приведены подробные методы расчета поверхностных электронных состояний и экспериментальные методы определения характеристик поверхности.

 

УЧЕБНОЕ ПОСОБИЕ «ТРАНЗИСТОРЫ».

Предназначено для изучения физических принципов работы современных биполярных и полевых транзисторов. В пособии приведены данные об устройстве транзисторов различных типов, методы расчета их параметров и рабочих характеристик, описаны основы технологии изготовления транзисторов, температурные и частотные зависимости параметров. В пособии также приведен внешний вид большого числа современных биполярных и полевых транзисторов, их обозначения и области  применения.

 

УЧЕБНОЕ ПОСОБИЕ «ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ».  Посвящено изучению физических основ работы современных полевых транзисторов. В нём рассматривается физические эффекты, лежащие в основе работы полевых транзисторов, а также методы расчета рабочих характеристик таких транзисторов; дан анализ временных и температурных зависимостей их параметров. В пособии подробно описывается устройство различных транзисторов и основы технологии их изготовления, а также приводится внешний вид большинства современных полевых транзисторов, их обозначения и области применения.

 

УЧЕБНОЕ ПОСОБИЕ «ЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ».

Основная задача пособия – достаточно просто изложить основные понятия и принципы работы современных электронных приборов. При освещении материала использование математического аппарата сильно ограничено; основное внимание уделено объяснению физических принципов работы тех или других электронных приборов.

 

МЕТОДИЧЕСКОЕ РУКОВОДСТВО «ПРАКТИКУМ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ И ПРИБОРОВ».

Состоит из 19 подробных описаний к лабораторно- практическим занятиям. В начале каждого описания к лабораторной работе приведены теоретические основы и физические принципы рассматриваемых методов измерений с подробным выводом рабочих формул. Приведены подробные описания измерительных стендов, задания к каждой работе и контрольные вопросы для закрепления материала.  

 

 

Превью 5.ПРАКТИКУМ ПО ФИЗИКЕ  (251x385, 17Kb)Превью 1.ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ (251x385, 13Kb)Превью 2.ФИЗИКА ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ (251x385, 13Kb)Превью 3.ТРАНЗИСТОРЫ (251x385, 12Kb)Превью 4.ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ (251x385, 14Kb)

 

 

 

Также можно назвать работы профессора  С.И.Власова на русском языке:

Учебное пособие «ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР». Состоит из 19 подробных описаний к лабораторно - практическим занятиям. В начале каждого описания к лабораторной работе приведены теоретические основы и физические принципы рассматриваемых методов измерений с подробным выводом рабочих формул. Приведены подробные описания измерительных стендов, задания к каждой работе и контрольные вопросы для закрепления материала.  Для сравнения полученных результатов измерений приведены табличные и справочные данные.Для более наглядногопредставления показанвнешний видбольшинства используемых полупроводниковых структур и приборов, изготовленных на их основе;

Учебное пособие «ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ». Описаны основные принципы работы современных полупроводниковых приборов. Подробно изложены современные физические модели работы таких полупроводниковых приборов как контакты металл-полупроводник, диодные структуры, биполярные и полевые транзисторы, Рассмотрены приборы, работающие как в низкочастотном, так и в СВЧ диапазоне. Приведены подробные методы расчета их рабочих характеристик; рассмотрены температурные и частотные зависимости рабочих параметров и сравнительные характеристики приборов¸ выпускаемых различными странами; показан внешний вид большинства описанных приборов.

«ПАССИВНЫЕ ТВЁРДОТЕЛЬНЫЕ ПРИБОРЫ»- 2012 год.

Рукописные мемуары любезно предоставлены профессором С.И.Власовым.

 

Сергей Игоревич умер скоропостижно 20 апреля 2016 года, прожив из 17 (или 19?) щедро определённых нашим правительством "лет доживания" только 6; не использовав из "заслуженного отдыха" ни одного дня.

 

вверх^ к полной версии понравилось! в evernote
Комментарии (1):
vadik15, с большим интересом прочитала ваше сообщение. Рада знакомству с вами и вашим дневником. Меня интересует все, что связано с Ташкентом, поскольку это город моего детства. Буду ждать продолжения этой серии. Таких людей, как Власовы, нужно помнить и знать. Спасибо!


Комментарии (1): вверх^

Вы сейчас не можете прокомментировать это сообщение.

Дневник Власовы. Часть 2 | vadik15 - Дневник vadik15 | Лента друзей vadik15 / Полная версия Добавить в друзья Страницы: раньше»